Об институте
Директор института № 11 «Материаловедение и технологии материалов»
С 2016 года институтом руководит
кандидат технических наук, доцент
Александр Владимирович Беспалов
Институт № 11 «Материаловедение и технологии материалов» в прошлом являлся структурным подразделением «МАТИ — Российского государственного технологического университета имени К. Э. Циолковского» (присоединён в 2015 г.).
Сейчас институт готовит специалистов в области материаловедения и технологий полимерных композиционных материалов, металлургических процессов, медицинских материалов, управления качеством и организации производства.
Научно-исследовательские проекты и образовательные программы реализуются в тесной интеграции с ведущими предприятиями аэрокосмической отрасли: ПАО «Компания «Сухой», НИЦ «Курчатовский институт» — ВИАМ, ОАО «ВИЛС», ФАУ «ЦАГИ», ПАО «Ил», ПАО «Туполев», ИМЕТ имени А. А. Байкова РАН, АО «Вертолёты России».
Студенты института изучают технологии создания, испытания и внедрения новых материалов и покрытий, отработки технологических параметров, математического и компьютерного моделирования, 3D-сканирования и реверс-инжиниринга, автоматизации процессов и производств.
Проекты и программы в интересах индустрии реализуются на базе высокотехнологичных научных лабораторий, где ведутся разработки в области космического материаловедения, новых биологически и механически совместимых с тканями организма человека материалов функционального назначения, а также ресурсного центра коллективного пользования «Авиационно-космические материалы и технологии». На базе научно-исследовательской лаборатории «Управление качеством и организация производства» ведётся разработка методик улучшения качества ракетно-технической продукции и процессов её изготовления, внедрение информационных технологий для повышения эффективности применения разработанных решений.
Среди выпускников института — учёные, академики, генеральные конструкторы и директора предприятий: Е. Н. Каблов (ВИАМ), А. А. Ильин (МАТИ), Б. А. Колачёв (МАТИ), В. В. Ливанов (АК имени С. В. Ильюшина), Д. С. Лисовенко (ИПМ РАН).
